国家/地区 中国(310) 美国(36) 世界知识产权组织(33) 韩国(22) 日本(19) 欧洲专利局(EPO)(17) 台湾(11) 加拿大(5) 印度(3) 法国(2)
IPC部 B(335) H(335) C(88)
D(6) A(2) G(2)
IPC大类 B82(335)
IPC小类 H01M(335) B82Y(331) C01B(78)
C23C(15) H01G(14) C01G(11)
B22F(9) H01B(9) D01F(6)
H01L(6) B82B(5) B01J(4)
B05D(4) C09D(3) C25D(3)
IPC H01M004/38(335)
发明人 WANG Y(22) LI X(21) WANG X(18)
ZHANG Y(17) LI J(13) CHEN Y(12)
WANG J(12) LIU S(11) WANG W(11)
ZHAO Y(11) LIU J(10) WANG H(10)
WANG L(10) ZHANG H(10) LIU Y(9)
公开年 2018(63) 2022(60) 2021(52) 2020(35) 2016(25) 2023(24) 2017(18) 2015(17) 2013(11) 2012(10) 2019(10) 2014(7)
申请年 2021(58)  2022(53)  2017(49)  2020(35)  2018(30)  2019(26)  2016(22)  2015(20)  2012(12)  2011(9)  2014(9)  2013(6)  2023(3) 
专利权人 UNIV CENT SO.(10) SEMICONDUCTO.(7) FUJIAN XINFE.(5) SAMSUNG ELEC.(5)
UNIV TSINGHU.(5) HEFEI GUOXUA.(4) SHENZHEN PEI.(4) UNIV TIANJIN(4)
XIFENG 2D FU.(4) ZHUZHOU FULL.(4) FUJIAN MATER.(3) GDUT SYNERGY.(3)
HON HAI PREC.(3) INST PROCESS.(3) JANG B Z(3) NANOTEK INST.(3)
SHANDONG YUH.(3) SONGSHAN LAK.(3) UNIV CHINA E.(3) UNIV CHONGQI.(3)